国产精品va在线播放,壮GAY吊大人帅精浓,欧美老肥妇bbwbbwbbwpics,а中文在线天堂

氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

氮化鎵相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體，有著更加出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作溫度。能夠帶來(lái)低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率：低損耗可降低導(dǎo)阻帶來(lái)的發(fā)熱，高開(kāi)關(guān)頻率可減小變壓器和電容的體積，有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí)GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升頻率，降低驅(qū)動(dòng)損耗。

尤其是相較于硅 MOSFET，氮化鎵材料具備更高的臨界電場(chǎng)、獨(dú)有且出色的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻、更低的電容，使其尤為適用于功率半導(dǎo)體器件，讓 GaN HEMT 成為高速開(kāi)關(guān)的理想之選。氮化鎵晶體管可以在縮短死區(qū)時(shí)間的情況下工作，從而提高效率，并實(shí)現(xiàn)被動(dòng)冷卻。在高開(kāi)關(guān)頻率下工作可以縮小被動(dòng)器件的體積，從而提高了 GaN HEMT 的可靠性和整體功率密度。