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氮化鎵晶體管

氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料,許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

氮化鎵相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體,有著更加出色的擊穿能力,更高的電子密度和電子遷移率,還有更高的工作溫度。能夠帶來(lái)低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率:低損耗可降低導(dǎo)阻帶來(lái)的發(fā)熱,高開(kāi)關(guān)頻率可減小變壓器和電容的體積,有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí)GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升頻率,降低驅(qū)動(dòng)損耗。

尤其是相較于硅 MOSFET,氮化鎵材料具備更高的臨界電場(chǎng)、獨(dú)有且出色的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻、更低的電容,使其尤為適用于功率半導(dǎo)體器件,讓 GaN HEMT 成為高速開(kāi)關(guān)的理想之選。氮化鎵晶體管可以在縮短死區(qū)時(shí)間的情況下工作,從而提高效率,并實(shí)現(xiàn)被動(dòng)冷卻。在高開(kāi)關(guān)頻率下工作可以縮小被動(dòng)器件的體積,從而提高了 GaN HEMT 的可靠性和整體功率密度。



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