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2023年3月30日-31日，氮矽科技亮相半導(dǎo)體在線在江蘇蘇州舉辦的第二屆三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)，吸引諸多關(guān)注。此次研討會(huì)由半導(dǎo)體在線組織召開(kāi)，旨在提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺(tái)，推動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

氮矽科技有限公司資深GaN HEMT器件設(shè)計(jì)總監(jiān)劉勇在此次研討會(huì)上發(fā)表了關(guān)于“GaN功率電子器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展”的演講。介紹了常閉型GaN功率器件結(jié)構(gòu)、場(chǎng)板及其他端子結(jié)構(gòu)、垂直GaN功率器件的結(jié)構(gòu)、 Cascode 及合封GaN功率產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，其中合封GaN產(chǎn)品是指GaN&驅(qū)動(dòng)的合封。并指出在未來(lái)Si MOSFET將會(huì)被GaN和SiC器件取代、而GaN與驅(qū)動(dòng)的合封將會(huì)是未來(lái)的主流趨勢(shì)。

目前氮矽科技已推出多款合封氮化鎵產(chǎn)品即PIIP^TM GaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數(shù)、占板面積小、布局靈活等特點(diǎn)，并且提供多種封裝，供客戶(hù)選擇；

  氮矽科技2019年4月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起，并集合數(shù)位電子科技大學(xué)頂尖教授和產(chǎn)業(yè)內(nèi)精英在成都聯(lián)合創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)。公司瞄準(zhǔn)新能源與國(guó)家先進(jìn)基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)方向，打造國(guó)內(nèi)唯一聚焦第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件及其驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)角獸企業(yè), 引領(lǐng)氮化鎵的革命性突破, 共創(chuàng)綠色未來(lái)。

未來(lái)公司將加大研發(fā)投入、不斷發(fā)展創(chuàng)新、不斷提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力、不斷完善服務(wù)體系，為客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)體驗(yàn)。