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5月16-18日，第五屆深圳國際半導體技術暨應用展（SEMI-e）在深圳會展中心（寶安新館）落下帷幕。來自全國各地的半導體專業(yè)采購商齊聚鵬城，行業(yè)學者大咖會師深圳，凝聚成半導體產(chǎn)業(yè)背后的堅實力量，與現(xiàn)場600+精選展商共同開啟一次“芯”旅程！

此次展會，氮矽科技朱仁強博士受邀參加同期召開的第四屆第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇，發(fā)表了《功率氮化鎵應用現(xiàn)狀與前景》主題分享，介紹了氮化鎵作為重要的第三代半導體材料之一，具有禁帶寬度大，擊穿電壓高，損耗低，高頻特性優(yōu)等特點，在功率器件領域已占據(jù)重要地位。

著重闡述了D-mode HEMT 和 E-mode HEMT兩大流派的區(qū)別，以及功率氮化鎵在快充領域、家電、電源適配器、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、鋰電池等領域擁有巨大的潛在應用市場。

在展會上，氮矽科技展示了針對以上應用領域，已推出的多款產(chǎn)品，包含650V （80mΩ ~ 400mΩ）氮化鎵晶體管，多款氮化鎵專用單/雙通道驅動，及多款氮化鎵集成驅動產(chǎn)品。同時展出了，氮矽科技已在快充、電源適配器、TV電源等領域推出的多款應用解決方案。

本次展會是半導體產(chǎn)業(yè)的一次盛會，通過本次展會，氮矽科技也與行業(yè)內(nèi)外的合作伙伴及意向客戶建立了良好溝通，加強了與產(chǎn)業(yè)之間的鏈接。我們將不斷地進取創(chuàng)新，努力深耕氮化鎵，為國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)騰飛做出貢獻。愿我們攜手共進，合作共贏，我們下一次展會不見不散！