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2023年7月19日-7月21日，“第十七屆半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會&2023年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”在浙江杭州蕭山區(qū)隆重舉辦。此次活動是全國半導(dǎo)體功率器件的一次重要學(xué)術(shù)技術(shù)交流活動，成都氮矽科技有限公司（下稱：氮矽科技）受邀出席了本次活動，與行業(yè)大咖一齊探討分立器件的技術(shù)瓶頸及其未來發(fā)展戰(zhàn)略方向。

7月21日，氮矽科技成都氮矽科技有限公司GaN HEMT器件設(shè)計總監(jiān)朱仁強(qiáng)博士應(yīng)組委會特邀，在會議上發(fā)表了《氮化鎵功率器件研究進(jìn)展與應(yīng)用》的主題報告，報告中詳細(xì)介紹了氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，其材料優(yōu)勢、器件結(jié)構(gòu)、應(yīng)用場景、市場趨勢并著重介紹了氮矽科技進(jìn)軍工業(yè)市場的PIIP? GaN系列產(chǎn)品。

站在“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”戰(zhàn)略的黃金賽道上，氮化鎵已然成為市場的新寵兒，越來越多的工業(yè)及汽車領(lǐng)域的制造商選擇與GaN器件供應(yīng)商合作，氮化鎵初步切入工業(yè)領(lǐng)域。而新的市場需求帶來的是風(fēng)險也是機(jī)遇，為此氮矽科技推出PIIP? GaN，與傳統(tǒng)分離方案相比減少了電源芯片外圍器件數(shù)量，提升了功率密度和效率，降低了設(shè)計成本，極大的提高了氮化鎵的可靠性。

PIIP? GaN系列產(chǎn)品覆蓋了不同功率以及不同封裝，用戶可以根據(jù)自身需求選擇更適合自己PIIP? GaN產(chǎn)品。